精选优质文档-倾情为你奉上金属有机化学气相沉积一、原理： 金属有机化学气相沉积（MOCVD）是以族、族元素的有机化合物和V、族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种-V族、-族以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。金属有机化学气相沉积系统（MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积（CVD)工艺，其原理为利用有机金属化学气相沉积法 metal-organic chemical vapor deposition.MOCVD 是一利用气相反应物，或 是前驱物 precursor 和族的有机金属和 V 族的 NH3，在基材 substrate 表面进 行反应，传到基材衬底表面固态沉积物的工艺。 二、MOCVD 的应用范围MOCVD 主要功能在於沉积高介电常数薄膜,可随著 precursor 的更换,而沉积出不同种类的薄膜.对於 LED 来说,LED 晶片由不同半导体材料的多层次架构构成,这些材料放在一个装入金属有机化学气相沉积 系统的圆形晶片上.这个过程叫做晶体取向附生,对於决定 LE
