VDMOS器件仿真设计实验-第一次实验报告(共6页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上半导体功率器件与智能功率IC实验 学生姓名：田瑞学 号：3 指导教师：乔明 一、实验室名称： 211楼803 工作站 二、实验项目名称：半导体功率器件与智能功率IC实验VDMOS器件仿真设计实验三、实验原理：对于阈值电压的调节，可以改变氧化层厚度，氧化层厚度越大，栅对沟道的控制能力越弱，阈值电压越大。也可以增大沟道区掺杂浓度，浓度越大，沟道区越难反型，阈值电压越大。MEDICI的使用流程:器件结构构造网格构造器件求解输出MEDICI 输入文件Device Structure SpecificationSolution SpecificationInput/Output预先确定器件结构四、实验目的：通过实验，了解VDMOS器件的结构，掌握VDMOS器件的设计方法，熟悉MEDICI软件的使用。五、实验内