《微机电系统基础》(共2页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上习题3-16一根细长的硅梁受到纵向张应力的作用。力的大小为1mN，横截面积为20um*1um。纵向的杨氏模量为120GPa。求出梁的相对伸长量（百分比）。如果硅的断裂应变为0.3%，那么要加多大力梁才会断裂？答：伸长量 相对伸长量 极限力 习题3-19求出下面所示悬臂梁的惯性矩。材料是单晶硅。悬臂梁纵向的杨氏模量为140GPa。答：惯性矩 习题11-4答：a:结构层牺牲层LPCVD氧化硅光刻胶蒸金薄膜LPCVD氮化硅可以。LPCVD氧化硅可以采用液体腐蚀剂移除不可以，对于光刻胶而言沉积温度过高不可以。蒸金无法承受LPCVD氮化硅时的高温LPCVD氧化硅不可以。结构层和牺牲层会同时被腐蚀不可以，对于光刻胶而言沉积温度过高不可以。蒸金无法承受LPCVD氧化硅时的高温蒸金薄膜可以。某些氧化物腐蚀剂可能会侵蚀蒸金可以。但是蒸金会使硅片的温度增加并且导致聚合物熔化不可以。相同金属会同时被腐蚀