精选优质文档-倾情为你奉上硅集成电路工艺基础绪论：单项工艺的分类：1、 图形转换：光刻、刻蚀2、 掺杂：扩散、离子注入3、 制膜：氧化、化学气相淀积、物理气相淀积第2章 氧化SiO2的作用：1、在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，作为器件的组成部分2、作为集成电路的隔离介质材料3、作为电容器的绝缘介质材料4、作为多层金属互连层之间的介质材料5、作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料6、扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层热氧化方法制备的SiO2是无定形制备二氧化硅的方法：热分解淀积法、溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、化学气相淀积法、热氧化法；热氧化法制备的SiO2具有很高的重复性和化学稳定性，其物理性质和化学性质不太受湿度和中等热处理温度的影响。SiO2的主要性质：密度：表征致密程度折射率：表征光学性质 密度较大的SiO2具有较大的折射率 波长为5500A左右时， SiO2的折射率约为1.46电阻率：与制备方法及所含杂
