精选优质文档-倾情为你奉上天津工业大学2010年半导体器件物理期末试卷(含答案)（1）简要说明：p-n结的势垒高度与温度和掺杂浓度的关系分别怎样？为什么？p-n结的势垒宽度与温度和掺杂浓度的关系分别怎样？为什么？*（2）对于理想p-n结：示意画出少数载流子的浓度分布。如果p-n结两边的掺杂浓度分别为NA和ND，少数载流子的扩散长度分别为Ln和Lp，试简单导出该p-n结的电流-电压关系（伏安特性）。简要说明:为什么正向电流与电压有指数函数关系？为什么反向电流与电压无关？（3）对于实际的Si/p-n结：正向电流和反向电流分别主要包含哪些不同性质的电流分量？正向电流与温度和掺杂浓度的关系分别怎样？反向电流与温度和掺杂浓度的关系分别怎样？正向电压与温度和掺杂浓度的关系分别怎样？ （4）对于金属与半导体Si的接触：在什么情况下将得到Schottky势垒？在什么情况下 将得到欧姆接触？为什么BJT的集电极处需要进行一次高浓度掺杂？为什么一般FET的源极和漏极需要采用高掺
