哈工大cmos模拟集成电路大作业(共9页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上Harbin Institute of Technology模拟CMOS集成电路大作业设计题目： 二级运放设计 院 系： 班 级： 设 计 者： 学 号： 设计时间： 2011.6.20 哈尔滨工业大学2012年设计题：假定nCox=110 A/V2， pCox=50 A/V2 ，n0.04V-1， p0.04V-1（有效沟道长度为1m时），n0.02V-1， p0.02V-1（有效沟道长度为2m时），n0.01V-1， p0.01V-1（有效沟道长度为4m时），=0.2，VTHN| VTHP | =0.7V。设计如下图的放大器，满足如下要求，其中负载电容CL = 10pF。 Av 4000V/V， VDD = 5V， GB = 5MHz ，SR