半导体物理期末试卷(共4页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上一、填空题1纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。2当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。3nopo=ni2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？ 不变 ；当温度变化时，nopo改变否？ 改变 。4非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命，寿命与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p型和 强n型材料，小注入时寿命n为 ，寿命p为 .5 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 ，称为 爱因斯坦 关系式。 6半导体中的载流子