精选优质文档-倾情为你奉上2012半导体物理学期末试题一、选择填空(22分)1、在硅和锗的能带结构中,在布里渊中心存在两个极大值重合的价带,外面的能带( B ),对应的有效质量( C ),称该能带中的空穴为( E )。A. 曲率大; B. 曲率小; C. 大;D. 小; E. 重空穴;F. 轻空穴2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为( F )。 A. 施主 B. 受主 C.复合中心 D.陷阱 F. 两性杂质3、在通常情况下,GaN呈( A )型结构,具有( C ),它是( F )半导体材料。A. 纤锌矿型; B. 闪锌矿型; C. 六方对称性;D. 立方对称性;E.间接带隙; F. 直接带隙。4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体,如果甲的相对介电常数r是乙的3/4, mn*/m0值是乙的2倍,那么用类氢模型计算结果是( D )。A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2,弱束缚电子基态轨道