电子科技大学2010半导体物理期末考试试卷A试题答案(共5页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上电子科技大学二零 一零 至二零 一一 学年第 一 学期期 末 考试1对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ）A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比2有3个硅样品，其掺杂情况分别是：1 含铝110-15cm-3 乙.含硼和磷各110-17cm-3 丙.含镓110-17cm-3室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ）A. 甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙3题2中样品的电子迁移率由高到低的顺序是（ B ）4 题2中费米能级由高到低的顺序是（ C ）5. 欧姆接触是指（ D ）的金属一半导体接触A. Wms = 0 B. Wms 0 D. 阻值较小且具有对称而线性的伏安特性 6