精选优质文档-倾情为你奉上结合计算机体系结构谈新兴计算机技术3D芯片堆叠一、3D芯片堆叠技术简介 与传统的二维芯片把所有的模块放在平面层相比，三维芯片允许多层堆叠，而过硅通孔（TSV,through silicon via）用来提供多个晶片垂直方向的通信。三维芯片由多个平面器件层垂直堆叠而成，并通过硅通孔进行层间互连，显著缩短了互连线长度、提高了芯片集成度，降低了芯片功耗并可获得更小的芯片外形尺寸，更好的满足带宽要求等。 其中，TSV是其关键技术，TSV通过在芯片与芯片之间、晶圆与晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连，能够使三维方向堆叠的密度最大、外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和降低功耗。二、 3D芯片堆叠技术对传统芯片结构带来的挑战1） 芯片良率下降 其相对滞后的对准技术降低了芯片良率，因此在三维芯片中引入过多的过硅通孔将增加芯片的制造和测试成本，但2） 单位面积功耗密度成倍增长 垂直堆叠在使得芯片集成度急剧提高的同时也使得芯片的功耗密度在相同的面积上成倍增长，由此导致芯片发热量成倍增长。这就需
