反激式的RCD吸收回路(共6页).doc

上传人:晟*** 文档编号:8536601 上传时间:2021-11-23 格式:DOC 页数:6 大小:75.50KB
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精选优质文档-倾情为你奉上反激式开关电源RCD吸收电路的设计对于一位开关电源工程师来说,在一对或多对相互对立的条件面前做出选择,那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最小)在讨论前我们先做几个假设, 开关电源的工作频率范围:20200KHZ; RCD中的二极管正向导通时间很短(一般为几十纳秒); 在调整RCD回路前主变压器和MOS管,输出线路的参数已经完全确定。有了以上几个假设我们就可以先进行计算:一首先对MOS管的VD进行分段:,输入的直流电压VDC;,次级反射初级的VOR;,主MOS管VD余量VDS;,RCD吸收有效电压VRCD1。 二对于以上主MOS管VD的几部分进行计算:,输入的直流电压VDC。在计算VDC时,是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V,即DC375V。VDCVAC *2,次级反射初级的VOR。VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的,如输出

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