模拟电子技术基础总结工作总结 本页是.最新发布的模拟电子技术基础总结的详细.参考文章，感觉很有用处，看完如果觉得有帮助请记得收藏本页。 篇一：模拟电子技术基础总结 第一章 晶体二极管及应用电路 一、半导体知识 1本征半导体 单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物*化镓GaAs是微波毫米波半导体器件和IC的重要材料）。 纯净（纯度7N）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。本征激发产生两种带电性质相反的载流子自由电子和空穴对。温度越高，本征激发越强。 空穴是半导体中的一种等效?q载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格中的空位，使局部显示?q电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。 在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡
