精选优质文档-倾情为你奉上1、 p-n结1. PN结的杂质分布、空间电荷区，电场分布（1） 按照杂质浓度分布，PN 结分为突变结和线性缓变结突变结 - P区与N区的杂质浓度都是均匀的，杂质浓度在冶金结面处（x = 0）发生突变。单边突变结-一侧的浓度远大于另一侧，分别记为 PN+ 单边突变结和 P+N 单边突变结。 后面的分析主要是建立在突变结（单边突变结）的基础上突变结近似的杂质分布。 线性缓变结 - 冶金结面两侧的杂质浓度均随距离作线性变化，杂质浓度梯 a 为常数。在线性区 线性缓变结近似的杂质分布。空间电荷区：PN结中，电子由N区转移至P区，空穴由P区转移至N区。电子和空穴的转移分别在N区和P区留下了未被补偿的施主离子和受主离子。它们是荷电的、固定不动的，称为空间电荷。空间电荷存在的区域称为空间电荷区。（2） 电场分布2. 平衡载流子和非平衡载流子（1）平衡载流子-处于非平衡状态的半导体,其载流子浓度为n0和p0。（2）非平衡载流子-处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是
