国内外半导体硅材料技术发展状况(共11页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上 订阅本刊请拨:010-转 8027Technological Frontier 技术前沿国内外半导体硅材料与技术的 发展近况 (续上期中国电子材料行业协会半导体材料分会朱黎辉10410310210-110-210-310-4电 阻 率 (欧 姆 -厘 米 1012101310141015101610171018101910201021载流子浓度 (个 /m 3图 1硅中载流子浓度与电阻率的关系4硅太阳能电池用多晶硅内在纯度的重要性4.1硅太阳能电池对原始多晶硅内在质量的基本要求硅中载流子浓度与电阻率的关系如图 1所示。4.2硅太阳能电池对原始硅材料纯度的最低要求从表 5的数据对照中可以推论如下:制作普通硅太阳能电池所用多晶硅的纯度最低应高于 7个 9,制作航天级的硅 太阳能电池所用多晶硅的纯度应该在 89个 9以上。4.3各类杂质在半导体硅材料中的行为 (物化参数 及其对硅晶体电学性能的影响硅太阳能电池