精选优质文档-倾情为你奉上根据紫外-可见光谱计算半导体能带Eg光学吸收系数满足方程：=(A/h)(h-Eg)1/2，其中A 是比例常数，h是光子能量，Eg是ZnO的能隙。Eg可以通过画(h)2与h的曲线，然后把线性部分延长到=0得出。这些数据先用excel计算出来，再导入origin画出曲线图，然后做切线，切线与和横坐标的交点数值就是禁带宽度在origin中做曲线的切线的话那个切点是怎么确定的下一个画切线的插件targent，它会自动画，切点选一个最陡峭的点1.薄膜：需要的数据：薄膜厚度d，透过谱T%，并且还要知道半导体是直接还是间接型。首先需要求吸收系数（absorption coefficiency, a）a=-ln(T%)/dhv的计算在origin里进行，大概可以使用hv=1240/(wavelength(nm)得到间接半导体：纵坐标为(ahv)2，横坐标为hv直接半导体：纵坐标为(ahv)(1/2)，横坐标为hv最后，做出曲线的切线（这方面我是自己拉一条直线），与横轴的交点就是Eg。2
