精选优质文档-倾情为你奉上1、Leff即有效沟道长度，由于做COMS的时候，为了防止HCE（Hot Carrier effect），会打LDD，再加上其他很多因素，实际的NMOS和PMOS之间的通道，并不是和Poly Gate的长度一样。如下图。l&S$c）D&d_T半导体技术天地Semiconductor Technology WorldLeff量测方法是通过测电阻得来，总电阻Rdrain端的电阻外加电阻（比如contact的接触电阻等等）图中两条曲线表示，加两个不同的gate电压（4v,6v），在两个不同CD的Gate之下（20um，0.5um）,测出来的R。交点表示刚好Vg相同，并且有效沟道长度为0的情况，由此算出L &Z7uJ%h0K半导体技术天地Semiconductor Technology World另外还有Weff，有效沟道宽度，道理一样。: (2007-2-5 00:19, 64.19K)v s;v h,H$oT半导体技术天地Semiconductor Technology World2、Kapp
