精选优质文档-倾情为你奉上从晶体管特性曲线看饱和问题我前面说过：谈论饱和不能不提负载电阻。现在再作详细一点的解释。借用杨真人提供的那幅某晶体管的输出特性曲线。由于原来的Vce仅画到为止，为了说明方便，我向右延伸到了4.0V。如果电源电压为V，负载电阻为R，那么Vce与Ic受以下关系式的约束：Ic = (V-Vce)/R在晶体管的输出特性曲线图上，上述关系式是一条斜线，斜率是 -1/R，X轴上的截距是电源电压V，Y轴上的截距是V/R（也就是前面第2帖说的“Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限”）。这条斜线称为“静态负载线”（以下简称负载线）。各个基极电流Ib值的曲线与负载线的交点就是该晶体管在不同基极电流下的工作点。见下图：图中假定电源电压为4V，绿色的斜线是负载电阻为80欧姆的负载线，V/R=，图中标出了Ib分别等于0.1、0.2、0.3、0.4、0.6、1.0mA的工作点A、B、C、D、E、F。据此在右侧作出了Ic与Ib的关系曲线。根据这个曲线，就比较清楚地看出“饱和”的含义了。曲线的绿
