区熔法制备单晶硅(共9页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上集 成 电 路 制 造 工 艺 -区熔法制备单晶硅 班 级： 电 艺 3091 学 号： 38# 姓 名： 赵 剑 指导老师： 张 喜 凤 日 期： 2010.04.25 区熔法制备单晶硅作者：赵剑（陕西国防工业职业技术学院 电艺 西安 户县 ）【 摘要】区熔法晶体生长是在本文中介绍的技术历史上早期发展起来的几种工艺之一，仍然在特殊需要中使用。直拉法的一个缺点是坩埚中的氧进入到晶体中，对于有些器件，高水平的氧是不能接受的。对于这些特殊情况，晶体必须用区熔法技术来生长以获得低氧含量晶体。【关键词】区熔法、直拉法、单晶硅1引言 集成电路通常用硅制造，硅是一种非常普遍且分布广泛的元素。石英矿就是一整块二氧化硅。尽管硅化物储量丰富，但硅本身不会自然生长，一般用大量存在的二氧化硅作原料，经过一系列的工艺步骤就可以得到多晶硅