1、1 半导体二极管自我检测题一选择和填空1纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。2在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在 N 型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在 P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。（A大于，B小于，C等于）3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。（A温度，B掺杂工艺，C杂质浓度）4. 当 PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当 PN 结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （A大于，B小于，C等于，
2、 D变宽，E变窄，F 不变 ）5二极管实际就是一个 PN 结，PN 结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般 _C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_ ，反向电流一般_D _。（A0.10.3V，B0.60.8V，C小于 ，D 大于 ）A117. 已知某二极管在温度为 25时的伏安特性如图选择题 7 中实线所示，在温度为 T1时的伏安特性如图中虚线所示。在 25时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度 T1 小于 25。
3、 （大于、小于、等于）/vV0im A- 0 . 0 0 15 01 02 03 01 0 01 5 00. 5 1T12 5oC- 0 . 0 0 2- 0 . 0 0 3图选择题 78PN 结的特性方程是 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳)1(TVvSeIi压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。二判断题（正确的在括号内画，错误的画）1N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ ）2在 P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为 N 型半导体。 （ ）3P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ ）4PN 结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。 （
4、 ）5由于 PN 结交界面两边存在电位差，所以当把 PN 结两端短路时就有电流流过。 （ ）6PN 结方程既描写了 PN 结的正向特性和反向特性，又描写了 PN 结的反向击穿特性。 （ ）7稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（ ） ，它不允许工作在正向导通状态（） 。习题1.1 图题 1.1 各电路中， ，忽略 D 的导通压降和死区电压，画出各电路相)V(tSin5iv应的输出电压波形。iv tRLivRL( a )( b )ivRL( c ) to too1 0 V1 0 VDDDvovovovovovo图题 1.1解：（a）图中，v i0 时，二极管截止，v o=0；v i
5、0 时，二极管导通， vo= vi。 t0vO5V 2（b）图中，二极管导通，v o= vi +10。 t051 01 5vOV 2（c）图中，二极管截止，v o=0。 t0vOVvO 0=1.2 求图题 1.2 所示电路中流过二极管的电流 ID 和 A 点对地电压 VA。设二极管的正向导通电压为 0.7V。+ 1 0 V( a )D( b )AR12 0 k IDR2 1 0 k - 6 V+ 1 0 VDAR1 2 k IDR2 1 0 k - 6 VR33 k 图题1.2解：（a） VVA3.57.06mARID.112（b） 31 70)6(0A得 VA9.4mARID2.7031.3
6、3电路如图题1.3所示，已知D 1为锗二极管，其死区电压V th0.2V，正向导通压降为0.3V；D 2为硅二极管，其死区电压为V th0.5V ，正向导通压降为0.7V。求流过D 1、D 2的电流I 1和I 2。1 5V1 0 k I1I2D1D21 0 0 1 0 0 图题1.3解：由于 D1 的死区电压小于 D2 的死区电压，应该 D1 先导通。设 D1 通、D 2 截止，此时 mA46.013.5ID2 两端电压I 11000.30.45V小于 D2 的开启电压，所以 D2 截止，因此I20 1.4设二极管的正向导通压降可以忽略不计，反向饱和电流为10A，反向击穿电压为 30V，并假设
7、一旦击穿反向电压保持 30V不变，不随反向击穿电流而变化。求图题 1.4中各电路的电流I。I5 k ( a )I5 k ( c )D1D2D1D21 0VI5 k ( b )D1D24 0VI5 k ( d )D1D21 0V4 0V图题1.4解：（a）图中，两个二极管导通， mAI2510（b）图中，由于 D2 反向截止，所以电流为反向饱和电流 10A。（c）图中，D 2 反向击穿，保持击穿电压 30V，所以 mI25)304(（d）图中，D 1 导通， mAI85401.5 试确定图题 1.5（a）和图（b）中的二极管是否导通，并计算电压 V1 和 V2 的值（设二极管正向导通电压为 0.
8、7V）+ 1 2 V( a )V1V22 RD+ 1 2 V( b )V1V22 RDRR图题 1.5解：（a）图中，D 导通， RI3.1)7.012(VIV5.72V10.7+V 2=8.23V （b）D 截止，I=0，V 112V， V20V1.6 忽略图题 1.6 中二极管的死区电压，试判断图中二极管是否导通。1 0V3 k ( a )3 k 2 k 2 k 1 k 2 0V4 k 1 0V3 k ( b )2 k 3 k 2 k 4 k 1 5V1 k D1D2AAB B图题 1.6解：先将 D 断开，计算 A、B 点对地电压（a） VVA10)42310(B8，所以 D1 导通A（
9、b） VV8)45320(B6，所以 D2 截止A1.7 设图题 1.7 中二极管的导通压降为 0.7V，判断图中各二极管是否导通，并求出 Vo的值。3 k ( a )D23V6VD1Vo( b )D25VD16V3 k D3D4Vo图题 1.7解：先假设所有二极管都截止，看哪个二极管的正偏电压高，先导通。（a）图中， VVD6)(01932所以， D2 先导通，导通后 VO3-0.7=2.3V ， D1 截止。VD3.2.01（b）图中， 1)6(51D432所以，D 2D4 先导通，则 ，D 1 截止，VV9.2).(1VO1.4V1.8 设图题 1.8 中二极管的导通压降为 0.7V，求
10、二极管上流过的电流 ID 的值。图题 1.8解：将二极管以外的电路进行戴维宁等效 kReq62.13 VVeq 69.3)()()32(6 所以 mARVIeqD85.1701.9 已知图题 1.9 电路中稳压管 DZ1 和 DZ2 的稳定电压分别为 5V 和 9V，求电压 VO 的值。6VD2kI2V3 3k3kDIeqReqV( a )VO5 1 0 3 9 0 ( b )5 1 0 2 0 V3 9 0 DZ 2DZ 1DZ 1DZ 2VO2 0 V图题 1.9解：（a）图中 DZ1 、D Z2 均工作于稳压状态， VO459（b）D Z1 工作于稳压状态，D Z2 工作于反向截止区，所
11、以 DZ2 支路的电流近似为零， VO51.10 已知图题 1.10 所示电路中， ，稳压管 DZ1、D Z2 的稳定电压分别为)V( sin9itv5V、3V，正向导通压降均为 0.7V。试画出 vO 的波形。iv t001 k DZ 1- 9vi/ VDZ 2vO9vo2 t图题 1.10解： 正半周时，D Z1 承受正向压降， DZ2 承受反向压降，在 VDZ2=3V 之前，D Z2 反向iv截止，i D=0，v O=vi； 上升到 VDZ2=3V 之后，D Z2 击穿， vO=3.7V；i负半周时，D Z2 承受正向压降， DZ1 承受反向压降，在 VDZ1=5V 之前，D Z1 反向截止，iiD=0，v O=vi； 反向电压达到 VDZ1=5V 之后，D Z1 击穿， vO=5.7V ；i t0- 9vi/ V9 20 t3 . 7- 5 . 7vo/ V 2
