精选优质文档-倾情为你奉上亚微米CMOS的翻转加固存储器设计T. Calinl, M. Nicolaidisl, R. Velazco2摘要一种新的设计技术被提出用于对辐照诱发的单粒子翻转不敏感的存储元件。这种技术适合于实现在高密度ASIC和使用亚微米CMOS技术的静态RAM。1、 引言在空间应用中使用的大多数LSI电路是使用CMOS工艺制造的。 这是由于它们的一般特性：高集成度，低功耗和高抗噪声性。 在空间辐射环境中工作的CMOS IC经受三种主要的瞬态辐射效应：单粒子闭锁，由于累积辐照量和单粒子翻转引起的性能退化。辐射诱导的硅CMOS电路中的瞬态效应基本上是导致电流直接电离的电荷收集和传输现象11.收集的电荷可能在短时间间隔内不经意地改变内部节点电压电路。 这些瞬变可以改变数字和模拟电路中的MOS晶体管的电性能。 结果，它们可能导致存储在存储器单元中的信息的丢失，随后系统异常运行和永久电路损坏。使用一些现有的商用CMOS技术（例如，bulk-epi工艺）可以将闭锁和总辐照剂量效应降低到可接受的水平2。单粒子翻转（SEU）反应辐射诱发的
