CMOS发展与现状(共6页).doc

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精选优质文档-倾情为你奉上CMOS图像传感器的发展与现状一.引言自上世纪60年代末期,美国贝尔实验室提出固态成像器件概念以来,固体图像传感器得到了迅速的发展。在早期的70年代时期,电荷耦合器件(CCD)、电荷注入器件(CID)、光敏二极管阵列(PDA)得到了发展。而这其中,CCD发展尤为迅速,到90年代时,CCD技术已经比较成熟。然而,随着CCD的应用开始广泛起来,其缺点也开始逐一显露。例如:CCD光敏单元阵列难与驱动电路及信号处理电路单片集成,不易处理一些模拟和数字功能,这些功能包括模/数转换器、精密放大器、存贮器、运算单元等元件的功能;CCD阵列驱动脉冲复杂,需要使用相对高的工作电压,不能与深亚微米超大规模集成(VLSI)技术兼容。因此,人们又开发了另外几种固体图像传感器技术,CMOS图像传感器便是其中的一种。早期的CMOS图像传感器,受制于当时的工艺水平,其图像质量差、分辨率、低噪声高、光照灵敏度不够。相比之下,CCD在这些方面有着出色的性能。因而早期的图像传感器市场一直是CCD器件的天下。而近年来,随着集成电路设计与制造工艺的发展,CMOS传感器的上述缺陷得

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