实验六--NPN器件设计与特性模拟实验(共14页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上实验六 NPN器件TCAD模拟实验一、 实验调查掌握NPN器件的特性，转移特性曲线，IV特性曲线，放大倍数等二、实验目的1. 熟悉Silvaco TCAD的仿真模拟环境；2、掌握NPN器件设计流程2. 掌握器件特性的仿真流程3. 掌握使用Tonyplot观察仿真仿真结果三、实验要求1、实验前必须仔细调查实验调查的内容2、根据程序完成NPN器件的设计仿真四、实验指导器件结构设计步骤：1、 创建一个初始网格结构 2、初始化硅衬底 3、进行 Boron离子注入 4、进行 Boron扩散 5、淀积多晶硅栅 6、进行Polysilicon掺杂 7、刻蚀多晶硅 8、多晶硅氧化 9、 退火 10、进行二次 Boron离子注入 11、形成侧氧 12、进行三次 Boron离子注入与退火 13、镜像得到完整NPN结构 14、形成发射级和基极接触 15、定义电极 16、 保存ATHENA结构文件 图一 NPN三极管器件仿真步骤：1