精选优质文档-倾情为你奉上1、 三种重要的微波器件：转移型电子晶体管、碰撞电离雪崩渡越时间二极管、MESFET。2、 晶锭获得均匀的掺杂分布：较高拉晶速率和较低旋转速率、不断向熔融液中加高纯度多晶硅，维持熔融液初始掺杂浓度不变。3、 砷化镓单晶：p型半导体掺杂材料镉和锌，n型是硒、硅和锑硅：p型掺杂材料是硼，n型是磷。4、 切割决定晶片参数：晶面结晶方向、晶片厚度（晶片直径决定）、晶面倾斜度（从晶片一端到另一端厚度差异）、晶片弯曲度（晶片中心到晶片边缘的弯曲程度）。5、 晶体缺陷：点缺陷（替位杂质、填隙杂质、空位、Frenkel，研究杂质扩散和氧化工艺）、线缺陷或位错（刃型位错和螺位错，金属易在线缺陷处析出）、面缺陷（孪晶、晶粒间界和堆垛层错，晶格大面积不连续，出现在晶体生长时）、体缺陷（杂质和掺杂原子淀积形成，由于晶体固有杂质溶解度造成）。6、 最大面为主磨面，与晶向垂直，其次为次磨面，指示晶向和导电类型。7、 半导体氧化方法：热氧化法、电化学阳极氧化法、等离子化学汽相淀积法。8、 晶体区别于非晶体结构：晶体结构是周期性结构，在许
