精选优质文档-倾情为你奉上半导体器件课程复习提纲 2016.11基础：半导体物理基本概念、物理效应。重点：PN结、金半结、双极型晶体管、JFET、MESFET、MOSFET。根据物理效应、重要方程、实验修正，理解半导体器件工作原理和特性，了解器件的参数特性，进行器件设计、优化、仿真与建模。第一章：半导体物理基础主要内容包括半导体材料、半导体能带、本征载流子浓度、非本征载流子、本征与掺杂半导体、施主与受主、漂移扩散模型、载流子输运现象、平衡与非平衡载流子。半导体物理有关的基本概念，质量作用定律，热平衡与非平衡、漂移、扩散，载流子的注入、产生和复合过程，描述载流子输运现象的连续性方程和泊松方程。（不作考试要求）第二章：pn结 主要内容包括热平衡下的pn结，空间电荷区、耗尽区（耗尽层）、内建电场等概念，pn结的瞬态特性，结击穿，异质结与高低结。耗尽近似条件，空间电荷区、耗尽区（耗尽层）、内建电势等概念，讨论pn结主要以突变结（包括单边突变结）和线性缓变结为例，电荷分布和电场分布，耗尽区宽度，势垒电容
