精选优质文档-倾情为你奉上晶圆制造工艺流程1、 表面清洗2、 初次氧化3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。(1)常压 CVD (Normal Pressure CVD)(2)低压 CVD (Low Pressure CVD)(3)热 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)(4)电浆增强 CVD (Plasma Enhanced CVD)(5)MOCVD (Metal OrganicCVD) & 分子磊晶成长 (Molecular Beam Epitaxy)(6)外延生长法 (LPE)4、 涂敷光刻胶(1)光刻胶的涂敷(2)预烘 (pre bake)(3)曝光(4)显影(5)后烘 (post bake)(6)腐蚀 (etching)(7)光刻胶的去除5、 此处用干法氧化法将氮化硅去除6 、离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底,形成 P 型阱7、 去除光刻胶,放高温炉中进行退火处理8、 用热磷酸去除氮