半导体禁带宽度(共2页).doc

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精选优质文档-倾情为你奉上半导体禁带宽度目录 (1)能带和禁带宽度的概念:对于包括半导体在内的晶体,其中的电子既不同于真空中的自由电子,也不同于孤立原子中的电子。真空中的自由电子具有连续的能量状态,即可取任何大小的能量;而原子中的电子是处于所谓分离的能级状态。晶体中的电子是处于所谓能带状态,能带是由许多能级组成的,能带与能带之间隔离着禁带,电子就分布在能带中的能级上,禁带是不存在公有化运动状态的能量范围。半导体最高能量的、也是最重要的能带就是价带和导带。导带底与价带顶之间的能量差即称为禁带宽度(或者称为带隙、能隙)。 禁带中虽然不存在属于整个晶体所有的公有化电子的能级,但是可以出现杂质、缺陷等非公有化状态的能级束缚能级。例如施主能级、受主能级、复合中心能级、陷阱中心能级、激子能级等。顺便也说一句,这些束缚能级不只是可以出现在禁带中,实际上也可以出现在导带或者价带中,因为这些能级本来就不属于表征晶体公有化电子状态的能带之列。 (2)禁带宽度的物理意义:禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体

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