模拟电路期末复习(填空-判断)全解(共11页).doc

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资源描述

精选优质文档-倾情为你奉上一、填空(本题共10分,每空2分)1在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.3_V。2、二极管的正向电阻 小 ;反向电阻 大 。3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为 模拟 电子技术。6、PN结反向偏置时,PN结的内电场 增强 。PN具有 具有单向导电 特性。7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为 0.7 伏;其门坎电压Vth约为 0.5 伏。8、二极管正向偏置时

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