芯片测试报告(共5页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上PN7013-2芯片测试报告-2012-12-15-孙国栋1测试信息芯片名称：PN7013-2对比芯片名称：IRS2113芯片特点描述：1. PN7013-2：电容采用积累方案，拉灌电流指标为2A， pad顺序与IRS2113相同，封装形式：16 lead DIP2. IRS2113：目标芯片，封装形式：14 lead DIP。测试目的：1. 从误关断角度考核PN7013-2的抗dv/dt能力。2. 与目标芯片做对比。测试结论：1. 母线电压分别为50V，75V，100V时两款芯片测试现象一致均为误开启。2. 两款芯片均在母线电压为110V时发生了误关断此时PN7013-2 dv/dt约为16V/ns，IRS2113约为12V/ns。测试结果：ParameterPN7013-2IRS2113母线电压（V）dv/dt（V/ns）是否误关断dv/dt（V/ns）是否误关断501.3否2.4否756.2否6.5