精选优质文档-倾情为你奉上实验 PN结直流电学特性测量一实验目的与意义PN结的电学特性是微电子技术的基础。通过本实验可以使学生加深对PN结正、反向电学特性的了解；比较硅，锗不同半导体材料PN结正向特性曲线的差异，并初步掌握晶体管特性图示仪的使用方法。二实验原理由固态电子论的PN结理论可知，对于正向PN结（PN结的P端接电压正极，N端接负极），电压V和通过该PN结的正向电流I之间存在着如下关系： （1-1）式中：A为PN结面积；Dn，Dp分别为电子、空穴的扩散系数；Ln，Lp分别为电子、空穴的扩散长度；n，p分别为p区及n区的平衡少数载流子浓度；q为电子电荷量；K为玻尔兹曼常数；T为绝对温度。对于反向PN结（P端接负极，N端接正极），其反向电流I反由三部分组成。反向漏电流IS；反向扩散电流： （1-2）势垒产生电流： （1-3）其中：ni为测试温度下半导体PN结材料的本征载流子浓度，为少数载流子寿命，为PN结势垒厚度。在室温下，硅PN结以势垒产生电流为主；而锗PN结则以反向扩散电流
