精选优质文档-倾情为你奉上首先，这三个名词对应的应用应该是一样的，都是利用硅化物来降低POLY上的连接电阻。 但生成的工艺是不一样的，具体怎么用单独的中文区分，现在我也还没看到相应资料， 就暂且沿用英文的了。其中，SILICIDE就是金属硅化物，是由金属和硅经过物理化学 反应形成的一种化合态，其导电特性介于金属和硅之间，而POLYCIDE和SALICIDE则是分别 指对着不同的形成SILICIDE的工艺流程，下面对这两个流程的区别简述如下：POLYCIDE： 其一般制造过程是，栅氧化层完成以后，继续在其上面生长多晶硅(POLY-SI）， 然后在POLY上继续生长金属硅化物（silicide），其一般为 WSi2 （硅化钨）和 TiSi2 （硅 化钛）薄膜，然后再进行栅极刻蚀和有源区注入等其他工序，完成整个芯片制造。SALICIDE: 它的生成比较复杂，先是完成栅刻蚀及源漏注入以后，以溅射的方式在POLY上 淀积一层金属层（一般为 Ti,Co或Ni），然后进行第一次快速升温煺火处理（RTA），使多晶 硅表面和淀积的金属发生反应，形成金属硅化物。根
