半导体光生伏特效应(共4页).docx

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精选优质文档-倾情为你奉上 实验 PN结光生伏特效应 一、实验目的测量硅太阳电池的光谱响应特性,及进行数据处理,使学生掌握pn结光伏效应,了解影响光伏效应的因素;增强学生对光伏效应的应用及对实际器件性能的理解,并提高学生实验研究和设计能力。二、实验原理光垂直于PN结结面照射时,能量大于禁带宽度的光子因本征吸收而产生电子-空穴对。势垒区外一个扩散长度内的光生少子,受pn结内建电场的作用被扫到对方,在n区、p区分别形成电子、空穴积累,产生一光生电动势。光生电动势给pn结以正向偏压,于是pn结内部既有由n区指向p区的光生电流IL,同时又有与IL反向的正向电流IF。在稳定光照下,开路pn结内,IL=IF,形成一稳定光生电压。短路情况下,IF=0,光生电流全部流经外电路。这种由内建电场引起的光电效应,称为光生伏特效应。太阳电池就是此效应最直接的应用,本实验以太阳电池为例对光生伏特效应进行测量。实验系统如图1所示。图1 太阳电池测试系统三、实验内容 测量太阳电池的光谱响应短路电流,开路电压

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