半导体器件物理-复习重点(共12页).doc

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资源描述

精选优质文档-倾情为你奉上第一章 PN结1.1 PN结是怎么形成的?耗尽区:正因为空间电荷区内不存在任何可动的电荷,所以该区也称为耗尽区。空间电荷边缘存在多子浓度梯度,多数载流子便受到了一个扩散力。在热平衡状态下,电场力与扩散力相互平衡。p型半导体和接触面形成pn结,p区中有大量空穴流向n区并留下负离子,n区中有大量电子流向p区并留下正离子(这部分叫做载流子的扩散),正负离子形成的电场叫做,正离子阻碍电子流走,负离子阻碍空穴流走(这部分叫做载流子的漂移),载流子的扩散与漂移达到动态平衡,所以pn结不加电压下呈电中性。1.2 PN结的能带图(平衡和偏压)无外加偏压,处于热平衡状态下,费米能级处处相等且恒定不变。1.3 内建电势差计算N区导带电子试图进入p区导带时遇到了一个势垒,这个势垒称为内建电势差。1.4 空间电荷区的宽度计算1.5 PN结电容的计算第二章 PN结二极管2.1理想PN结电流模型是什么?势垒维持了热平衡。反偏:n区相对于p区电势为正,所以n区内的费米能级低于p区内的费米能级,势

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