精选优质文档-倾情为你奉上半导体制造技术1. 列举出在一个单晶硅衬底上制作电阻器的三种方法。答：集成电路电阻可以通过金属膜，掺杂的多晶硅，或者通过杂质扩散到衬底的特定区域中产生。2. 什么是平面电容器？描述在硅衬底上制作这种元件的四种技术。答：平面电容器可由金属薄层，掺杂的多晶硅，或者衬底的扩散区形成。通常衬底上的电容器由4种基本工艺组成。3. 什么是CMOS器件的闩锁效应？它能引起什么样的不希望情况？答：CMOS器件中的pn结能产生寄生晶体管，它能在CMOS集成电路中产生闩锁效应以致引起晶体管的无意识开启。4. 为什么掺杂材料要在CZ法中加入到熔体中？答：5. 描述或画出4种硅片定位边的图。在200mm及以上硅片中用什么代替了定位边？答：在硅锭上做一个定位边来标明晶体结构和硅片的晶向。主定位边标明了晶体结构的晶向，次定位边标明了硅片的晶向和导电类型。四种定位边分别为P型（111），P型（100），N型（111），N型（100）。在200mm及以上硅片中用定位槽代替了定位边。6. 描述在硅片厂中使用的去离子水的概念。答：去离子
