四探针测试仪测量薄膜的电阻率(共10页).doc

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精选优质文档-倾情为你奉上四探针测试仪测量薄膜的电阻率一、 实验目的1、掌握四探针法测量电阻率和薄层电阻的原理及测量方法;2、了解影响电阻率测量的各种因素及改进措施。二、实验仪器采用SDY-5型双电测四探针测试仪(含:直流数字电压表、恒流源、电源、DC-DC电源变换器)。三、实验原理电阻率的测量是半导体材料常规参数测量项目之一。测量电阻率的方法很多,如三探针法、电容-电压法、扩展电阻法等。四探针法则是一种广泛采用的标准方法,在半导体工艺中最为常用。1、半导体材料体电阻率测量原理图1 点电流源电场分布 在半无穷大样品上的点电流源, 若样品的电阻率均匀, 引入点电流源的探针其电流强度为I,则所产生的电场具有球面的对称性, 即等位面为一系列以点电流为中心的半球面,如图1所示。在以为半径的半球面上,电流密度的分布是均匀的:若E为处的电场强度, 则: 由电场强度和电位梯度以及球面对称关系, 则:图2 任意位置的四探针 取为无穷远处的电位为零, 则:

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