第六章 刻蚀6.1 引 言 n 刻蚀的概念: 用化学或物理的方法有选择地去除硅片表面层材料的 工艺过程称为刻蚀。 n 刻蚀示意图： Photoresist mask Film to be etched (a) Photoresist-patterned substrate (b) Substrate after etch Photoresist mask Protected filmn 刻蚀的工艺目的: 把光刻胶图形精确地转移到硅片上，最后达到复制 掩膜版图形的目的。它是在硅片上复制图形的最后 主要图形转移工艺。 n 刻蚀工艺分类：干法刻蚀和湿法刻蚀 干法刻蚀：把要刻蚀的硅片放在具有反应气体的等 离子体真空腔中去除表面层材料的工艺过程。亚微 米 湿法刻蚀：把要腐蚀的硅片放在化学腐蚀液里去除 表面层材料的工艺过程。大于3 微米 u 按被刻蚀的材料分：金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀 u 有图形刻蚀和无图形刻蚀 6.1 引 言6.2 刻蚀参数 n 为了复制硅片表面材料上的掩膜图形，刻蚀必须满 足一些特殊的要求，包括以下几个刻蚀参数。 n 刻蚀参数 1. 刻蚀速率 2. 刻蚀剖面 3. 刻蚀偏差
