Berry位相与拓扑不变量量子自旋霍尔效应与拓扑绝缘体应用:-(a)电阻ppt课件.ppt

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第四章 维度 4.1 半导体低维电子系统 4.2 二维体系中的相变 4.3 准一维体系的Peierls 不稳定性和电荷密度波4.1 半导体低维电子系统 1.维度 三维自由电子气体,沿z方向对体系的尺寸限制: z W n=1 k n=2 电子只占据n=1的子带,二维体系 n1也占据,准二维体系2. Si反型层及GaAs-AlGaAs异质结金属 SiO2 耗尽层 反型层 导带 价带 价带 导带 zSplit gates and one-dimensional electron gases This split-gate technique was pioneered by the Semiconductor Physics Group at the Cavendish Laboratory of the University of Cambridge, in England, in 1986, by Trevor Thornton and Professor Michael Pepper. 3.量子化霍尔效应(Quantum Hall Effects (QHE) ) (1)霍尔效应基础 E

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