1、柔性透明非晶金属 氧化物薄膜晶体管谢磊 2013.9.4研究目的柔性 TFT的优点u柔性u重量轻u成本低研究目的电 学性能（ S Vth Ion/off）均一性 稳 定性 能否用于柔性 显 示a-Si 差（ Nth(Nth=318cm-3)改 变 载 流子 浓 度NdInsulatorMetal Transition以 IGZO为 例， Ga离子起 carrier suppressor作用，通过调节 Ga的含量和氧分压使零偏时 Nd在 10141017cm-3；同时，由于 迁移率与 Nd有关 ，施加电压载流子浓度达到 Nth，影响载流子传输的 势垒被克服 ，迁移率迅速增加至 10cm2 /Vs
2、TAOS沟道材料 电负性：对电子的吸引能力，电负性越低，对电子吸引力越小，对氧的吸引力越强，离子与氧之间的键合就强 IGZO材料中， Ga-O Zn-O键强于 In-O， 对氧吸引力大，可有效抑制载流子浓度 电负性 In=1.7 Zn=1.6 Al=1.5 Zr=1.4 Hf=1.3 Mg=1.3 因此可用电负性低的离子代替 Ga来制备新型 TAOS材料，如 HIZO、 ZIZOHigh-k栅介质 SiO2介电常数 小，栅控能力弱，使得阈值电压高能耗大通过减薄厚度提高栅控能力，又会导致泄漏电流增加 采用 high-k介质，提高栅控能力 High-k介质由于 band-gap小，也有相当高的泄漏电流采用双层栅介质，如 v-SiOx/Ta2O5
