LED 的生产 工艺 流程及其 设备主要内容 n LED 生产工艺流程； n LED 衬底材料制作； n LED 外延制作；Led 生产工艺流程 1 、所用硅衬底在放入反应室前进行清洗。先用H2SO4 H2O2 (3 1) 溶液煮10min 左右, 再用2%HF 溶液腐蚀5min 左右, 接 着用去离子水清洗, 然后用N2 吹干。 2 、衬底进入反应室后在H2 气氛中于高温进行处理, 以去除硅 衬底表面氧化物。 3 、然后温度降至800 左右, 生长厚约100 埃的AlN 缓冲层。 4 、接着把温度升至1050 生长200nm 偏离化学计量比( 富镓 生长条件) 的GaN 高温缓冲层。 5 、再生长0.4m 厚未掺杂的GaN 。 6 、接着生长2m 厚掺Si 的n 型GaN, 接下来在740 生长5 个周 期的InGaN 多量子阱有源层。 7 、以及在990 生长200nm 的p 型GaN 。 Led 生产工艺流程 8 、生长结束后， 样 品置于N2 中于 760 进行退火, 9 、然后再对样品进 行光刻和ICP 刻蚀 。Ni/Au 和Ti/Al/ Ni/ Au 分别用作p 型GaN
