GaN 生长方法 高乃坤 201311907物理性质（宽带隙） m 结构 六方铅锌矿晶体结构 立方闪锌矿晶体结构 m 优点 禁带宽度大 电子饱和速率和击穿电压高 介电常数小 导热性能好等 化学性质 在室温下不溶于水、酸和碱, 但能缓慢地溶于热的碱性溶液 GaN 半导体材料的特性m 激光器件 光学存储，激光打印机，医疗军事 m 发光二极管 信号灯，视频显示，照明 m 紫外探测器 分析仪器，火焰检测，臭氧检测 m 集成电路 通讯基站，电子开关，卫星 GaN 半导体材料的应用mGaN 单晶和薄膜的主要制备方法 氢化物气相外延法 分子束外延法 金属有机化学气相沉积法 GaN 单晶材料的制备m 工艺： m 利用金属氯化物的歧化反应, 即稼的氯化物以多种不同的化合价构成不同的化合物, 通 过调整反应室的温度, 实现的生长、转移和氮化稼的沉积 m HVPE 一般用来制备自支撑GaN 单晶衬底 1 ，HVPE 生长200m 的GaN 单晶外延层 2 ，剥离（机械方法、化学腐蚀、激光剥离） m 优点: m 生长过程在本质上是无碳生长, 使得生长高纯度的氮化稼薄膜更为容易 m 生长化学计量比的氮化嫁薄膜时
