模拟电子技术题库-答案分解(共32页).doc

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精选优质文档-倾情为你奉上模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9专心-专注-专业第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,少数载流子应是 空穴 。2、 在N型半导体中,电子浓度 大于 空穴浓度,而在P型半导体中,电子浓度 小于 空穴浓度。 3、PN结反向偏置时,空间电荷区将变 宽 。4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_饱和_区、_放大_区、_截止_区。5、场效应管分为两大类:一类称为_结型场效应管_,另一类称为_ 绝缘栅场效应管_。6、PN结外加反向电压,即电源的正极接N区,电源的负极接P区,这种接法称为_反向接法_或_反向偏置_。7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 _,在电路中可以起_整

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