模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案(共116页).doc

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精选优质文档-倾情为你奉上模拟电子技术基础第四版课后答案 第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时,IC 从lmA 变为2mA ,那么它的约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A ) 。A.增大; B.不变; C.减小1.2电路如图P1.2 所示,已知(V),试画出与的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2

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