半导体第2章-PN结-总结(共14页).docx

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资源描述

精选优质文档-倾情为你奉上第二章 PN结1. PN结:由P型半导体和N型半导体实现冶金学接触(原子级接触)所形成的结构。 任何两种物质(绝缘体除外)的冶金学接触都称为结(junction),有时也叫做接触(contact)。2. PN结是几乎所有半导体器件的基本单元。除金属半导体接触器件外,所有结型器件都由PN结构成。3. 按照杂质浓度分布,PN 结分为突变结和线性缓变结.突变结杂质分布 线性缓变结杂质分布4. 空间电荷区:PN结中,电子由N区转移至P区,空穴由P区转移至N区。电子和空穴的转移分别在N区和P区留下了未被补偿的施主离子和受主离子。它们是荷电的、固定不动的,称为空间电荷。空间电荷存在的区域称为空间电荷区。5. 内建电场:P区和N区的空间电荷之间建立了一个电场空间电荷区电场,也叫内建电场。 PN结自建电场:在空间电荷区产生缓变基区自建电场:基区掺杂是不均匀的,产生出一个加速少数载流子运动的电场,电场沿杂质浓度增加的方向,有助于电子在大部分基区范围内输

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