第五章 第五章 化学气相沉积（ 化学气相沉积（ CVD CVD ） ） Chemical Vapor Deposition Chemical Vapor Deposition 化学气相沉积的基本原理 化学气相沉积的特点 CVD方法简介 低压化学气相沉积（LPCVD） 等离子体化学气相沉积 其他CVD方法 本章主要内容参考书目： 1、唐伟忠，薄膜材料制备原理、技术及应用（第2版）， 冶金工业出版社，2008 2、Hugh O. Pierson，Handbook of Chemical Vapor Deposition, Noyes Publications, 1999 化学气相沉积（CVD）是一种化学气相生长法。 把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物的单质 气体供给基片，利用加热、等离子体、紫外光以及激 光等能源，借助气相作用或在基板表面的化学反应（ 热分解或化学合成）生长形成固态的薄膜。 CVD法可制备薄膜、粉末、纤维等材 料，用于很多领域，如半导体工业、电子 器件、光子及光电子工业等。 CVD法实际上很早就有应用，用于材料精制、 装饰涂层、耐氧化涂层、耐腐蚀涂层等。 CVD法一开始用
