半导体材料 III-V 族化合物半导体的外延生长第七章 III-V 族化合物半导体的外延生长 l 内容提要： l 气相外延生长VPE 卤化物法 氢化物法 金属有机物气相外延生长MOVPE l 液相外延生长LPE l 分子束外延生长MBE气相外延生长 l 气相外延生长(vaporphaseepitaxy,VPE) 发展较早，主要有以下三种方法： l 卤化物法(Ga/AsCl 3 /H 2 体系) l 氢化物法(Ga/HCl/AsH 3 /H 2 体系) l 金属有机外延法卤化物法外延生长GaAs l Ga/AsCl 3 /H 2 体系气相外延原理及操作 l 高纯H 2 经过AsCl 3 鼓泡器，把AsCl 3 蒸气携带入反应室中，它们在 300500 的低温就发生还原反应， 4AsCl 3 + 6H 2 = As 4 + 12 HCl l 生成的As 4 和HCI 被H 2 带入高温区(850 ) 的Ga 源( 也称源区) 处，As 4 便溶入Ga 中形成GaAs 的Ga 溶液，直到Ga 饱和以前，As 4 不流向后方 。 4Ga + xAs 4 = 4GaAsx ( x1 ) l 而H
