微电子工艺学 Microelectronic Processing 第四章掺杂原理与技术 张道礼 教授 Email: zhang- Voice: 87542894掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质 掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状（doping profile）。 掺杂应用：MOSFET：阱、栅、源/漏、沟道等 BJT：基极、发射极、集电极等 BEC p p n+ n- p+ p+ n+ n+ BJT pwell NMOS 4.1 掺杂基本概念：结深 x j （Junction Depth）；薄层电阻 R s （Sheet Resistance ）；杂质固溶度（Solubility) 4.1 掺杂 目的：改变晶片电学性质，实现器件和电路纵向结构。 方式：扩散（diffusion）、离子注入（ion implantation） 、合金、中子嬗变。高温扩散：一直到20世纪70年代，杂质掺杂主要是由 高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂 过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓 度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由高 温与扩散时间来决定。 离子注入：掺
