LOGO 宽禁带半导体紫外 宽禁带半导体紫外 探测器 探测器LOGO 主要内容 主要内容 引言 一 宽禁带半导体紫外探测器概述 二 紫外探测器的应用 紫外探测器的应用 三 三LOGO 第一代元素半导体材料Si以及第二代化合物半导体GaAs、InP等材料由于具 有禁带宽度小、器件长波截止波长大、最高工作温度低等特点而使得器件 的特性及使用存在很大局限性，满足不了目前军事系统的要求。 第三代宽带隙半导体材料主要包括SiC、GaN、ZnO和金刚石等，同第一、 二代电子材料相比，具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小 、导热性能好等特点，适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的 电子器件；而利用其特有的宽禁带，还可以制作蓝、绿光和紫外光的发光 器件和光探测器件。 一、引言LOGO 表1 Si 、GaAs 和宽带隙半导体材料的特性对比 材 料 Si 和GaAs 宽带隙半导体材料 Si GaAs SiC 金刚石 GaN ZnO 带隙类型 间接 直接 间接 间接 直接 直接 禁带宽度(eV) 1.119 1.428 2.994 5.5 3.36 3.37 熔点( ) 1420 1238
