精选优质文档-倾情为你奉上Mg杂质调控高Al组分AlGaN光学偏振特性郑同场，林伟收稿日期：2015-06-30 录用日期：2015-10-25基金项目：国家重点基础研究发展计划（973）项目（2012CBR19300），国家高技术研究发展计划（863）（2014AA），国家自然科学基金（、），海峡联合基金（U）*通信作者：; linwei ，蔡端俊，李金钗，李书平，康俊勇*（厦门大学 物理与机电工程学院，福建省半导体材料及应用重点实验室，福建 厦门 ）摘要：高Al组分AlGaN带边发光以e光为主的发光特性，从根本上限制了沿c面生长器件的正面出光，成为光电器件发光效率急剧下降的主要原因。第一性原理模拟计算表明AlxGa1-xN混晶的晶格常数比c/a偏离理想值程度随Al组分的增大而增大，导致晶体场分裂能Dcr从GaN的40 meV逐渐减小;当组分达到0.5时呈现0值，Al组分继续提升，Dcr进一步下降，价带顶排列顺序翻转，直至AlN达到最低值-197 meV。通过Mg掺杂应变AlGaN量子结构能带工程调控高Al组
