第一章 微电子技术中图形加工的一般方法 在半导体发展的早期，首先使用的半导体材料 是锗，但它很快被硅取代了。因为硅在大气中 氧化可以形成一层结力很强的透明的氧化硅 (SiO 2 )薄膜，它可作硅表面的保护层；电路间 的绝缘介质，以及作杂质扩散的掩蔽膜。砷化 镓具有很高的迁移率，是一种重要的半导体材 料。但由于砷化镓在生长大的单晶和形成绝缘 层方面还存在某些技术问题，因此在目前的微 电子学中占统治地位的半导体材料仍然是硅。第一节 制造微细图形的要求 平面工艺是微细加工发展中的一个非常重要的工序， 其基本制作工艺是在不同电特性的薄膜材料上加工所 需要的图形。每层薄膜上先形成晶体管、电容器和整 流器等元件，最后将它们连接在一起，构成了集成电 路(IC)。 每层薄膜有不同的电特性，可通过改变基片的性质而 得到，如掺杂和氧化，但也可以用蒸发和溅射的方法 ，在基片上沉积一层薄膜。通过光刻的方法产生所需 要的图形，即把设计好的图形投影到涂有光刻胶的表 面层上，使被曝光部分的光刻胶变成坚硬的抗蚀剂层 ，而未被曝光的光刻胶则在某一溶剂中被溶解。第二节 外 延 “外延” 是指在单晶衬底上生长一层新单晶的
