西北大学化学与材料科学学院 COLLEGEOFCHEMISTRY 在产品成本和能 耗方面也有竞争力。挪威的KvrnerOil b-60min; c- 90min; d-管状结构形成示意图 增强反应沉积 等离子增强反应沉积是由于等离子体中正离子、电子 和中性反应分子相互碰撞，可以大大降低沉积温度。硅烷 和氨气反应通常约在850 左右反应并沉积氮化硅，但在 等离子体增强反应情况下，只需要350 左右就可以生成 氮化硅。 通常要在300 左右的底衬表面上发生的反应，采用 激光束平行于衬底表面后（激光束与衬底表面的距离约 1mm），结果处于室温的衬底表面上就会沉积出一层光亮 的钨膜:李明伟等采用等离子增强热丝CVD技术，以多晶镍为 催化剂热解乙炔气得到了碳纳米管阵列。 生长在多晶镍膜上的碳纳米管阵列5.2.4装置 气源控制部件; 沉积反应室; 沉积温控部件; 真 空排气和压强控制部件等部分组成。在等离子增强型或其 它能源激活型CVD装置，还需要增加激励能源控制部件。 砷化镓气相外延装置示意图三氯硅烷氢还原生产半导体超纯硅的工业装置示意图5.2.5CVD合成技术的应用 现代科学和技术需要使用大量
