半导体刻蚀工艺简介 1.1 概述 1.2 湿法刻蚀 1.3 干法刻蚀 1.4 质量评价1.1 概述 广义而言，刻蚀技术包含了所有将材质表面均匀移除或是 有选择性的部分去除的技术，可大体分为湿法刻蚀与干法 刻蚀两种方式。 本情景针对半导体制造工艺中所用的刻蚀技术做详细介绍 ，内容将包括湿法刻蚀和干法刻蚀技术的原理，以及Si、 SiO 2 、Si 3 N 4 、多晶硅及金属等各种不同材料刻蚀方面的应 用。将重点描述干法刻蚀技术，并将涵盖刻蚀反应器、终 点探测以及等离子体导致损伤等的介绍。1.2 湿法刻蚀工艺 湿法刻蚀又称为湿化学刻蚀法，主要是借助刻蚀剂与 待刻材料之间的化学反应将待刻膜层溶解达到刻蚀的目的 。湿法刻蚀的反应产物必须是气体或可溶于刻蚀剂的物质 ，否则会造成反应物的沉淀，影响刻蚀的正常进行。 湿法刻蚀的进行，通常先利用氧化剂(如Si和Al刻蚀时 的HNO3)将被刻蚀材料氧化成氧化物(例如SiO2、Al2O3) ，再利用另一种溶剂(如Si刻蚀中的HF和A1刻蚀中的 H3PO4)将形成的氧化层溶解并随溶液排出。如此便可达 到刻蚀的效果。 刻蚀分三步进行： 刻蚀剂扩散至待刻材料的表面
